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3998473Immagine BSC883N03MSGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC883N03MSGATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSC883N03MSGATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSC883N03MSGATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta), 57W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    BSC883N03MS GCT
    BSC883N03MS GCT-ND
    BSC883N03MSGATMA1CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3200pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    34V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 34V 19A (Ta), 98A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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