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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BSF030NE2LQXUMA1
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1716363Immagine BSF030NE2LQXUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSF030NE2LQXUMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSF030NE2LQXUMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSF030NE2LQXUMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.2W (Ta), 28W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-WDSON
  • Altri nomi
    BSF030NE2LQ
    BSF030NE2LQ-ND
    BSF030NE2LQTR-ND
    BSF030NE2LQXUMA1TR
    SP000756348
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 12V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    25V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 25V 24A (Ta), 75A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    24A (Ta), 75A (Tc)

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Pagamento
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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