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6392111Immagine FCU850N80Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU850N80Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCU850N80Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCU850N80Z.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    IPAK (TO-251)
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    850 mOhm @ 3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    75W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    52 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1315pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

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