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BSM25GD120DN2BOSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSM25GD120DN2BOSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3V @ 15V, 25A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    BSM25GD120DN2
    SP000100370
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    1.65nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    800µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    35A
  • Configurazione
    Full Bridge

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