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6787195Immagine BSM300D12P2E001.LAPIS Semiconductor

BSM300D12P2E001

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSM300D12P2E001
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.BSM300D12P2E001.pdf
    2.BSM300D12P2E001.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 68mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Potenza - Max
    1875W
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    Module
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    35000pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1875W Chassis Mount Module
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    300A (Tc)

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Descrizione: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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Descrizione: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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Descrizione: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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Descrizione: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

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Descrizione: MODULE IGBT 1700V

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