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3637459Immagine BSO303PHXUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO303PHXUMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSO303PHXUMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSO303PHXUMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 100µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-DSO-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    21 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    BSO303P HCT
    BSO303P HCT-ND
    BSO303PHXUMA1CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2678pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7A

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In magazzino
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BSO303PNTMA1

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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BSO207PHXUMA1

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Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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BSO207PNTMA1

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BSO211PNTMA1

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Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO

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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC

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Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

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