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2850116Immagine BSO303SPNTMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO303SPNTMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSO303SPNTMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    BSO303SPNTMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    P-DSO-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    21 mOhm @ 8.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.35W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    BSO303SP
    BSO303SPINTR
    BSO303SPINTR-ND
    BSO303SPNTMA1TR
    BSO303SPT
    BSO303SPXTINTR
    BSO303SPXTINTR-ND
    SP000014019
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1754pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 8.9A (Ta) 2.35W (Ta) Surface Mount P-DSO-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8.9A (Ta)

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

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