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3557588Immagine BSO612CV.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO612CV

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSO612CV
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    BSO612CV.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 20µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    P-DSO-8
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 3A, 10V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    BSO612CVINTR
    SP000012292
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    340pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3A, 2A
  • Numero di parte base
    BSO612

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