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6318454Immagine BSO615NGHUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO615NGHUMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSO615NGHUMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSO615NGHUMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 20µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-DSO-8
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    BSO615N G
    BSO615N G-ND
    BSO615NG
    BSO615NGHUMA1TR
    BSO615NGINTR-ND
    BSO615NGT
    BSO615NGXT
    BSO615NT
    BSO615NXTINTR
    BSO615NXTINTR-ND
    SP000216316
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    380pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.6A
  • Numero di parte base
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Pagamento
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