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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BSP613PH6327XTSA1
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1653947Immagine BSP613PH6327XTSA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP613PH6327XTSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSP613PH6327XTSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSP613PH6327XTSA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-SOT223-4
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    130 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.8W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • Altri nomi
    BSP613PH6327XTSA1DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    875pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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