International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP613PL6327HUSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSP613PL6327HUSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSP613PL6327HUSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs

130 mOhm @ 2.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi

BSP613PL6327
BSP613PL6327HUSA1CT
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

875pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

P-Channel 60V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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BSP716NH6327XTSA1

Descrizione: MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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