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4774993Immagine FF11MR12W1M1B11BOMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

FF11MR12W1M1B11BOMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FF11MR12W1M1B11BOMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
    2.FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.55V @ 40mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    CoolSiC™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    11 mOhm @ 100A, 15V
  • Potenza - Max
    20mW
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    FF11MR12W1M1_B11
    SP001602204
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Not Applicable
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7950pF @ 800V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    250nC @ 15V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 20mW Chassis Mount Module
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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Descrizione: IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

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Descrizione: FLEX SUPPRESSOR / NOISE SUPPRESS

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Descrizione: PP IHM I XHP 17KV

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