FF1200R12KE3NOSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

FF1200R12KE3NOSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

FF1200R12KE3NOSA1.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.15V @ 15V, 1200A
Contenitore dispositivo fornitore

Module
Serie

-
Potenza - Max

5000W
Contenitore / involucro

Module
Altri nomi

FF1200R12KE3
FF1200R12KE3-ND
SP000100572
temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C
Termistore NTC

No
Tipo montaggio

Chassis Mount
Produttore tempi di consegna standard

36 Weeks
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

86nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

-
Descrizione dettagliata

IGBT Module 2 Independent 1200V 5000W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max)

5mA
Configurazione

2 Independent

Notizie correlate
spedizione
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FF1000R17IE4DPB2BOSA1

Descrizione: IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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