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FF200R12KT3EHOSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

FF200R12KT3EHOSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

FF200R12KT3EHOSA1.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.15V @ 15V, 200A
Contenitore dispositivo fornitore

Module
Serie

-
Potenza - Max

1050W
Contenitore / involucro

Module
Altri nomi

FF200R12KT3_E
FF200R12KT3_E-ND
SP000314729
temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C
Termistore NTC

No
Tipo montaggio

Chassis Mount
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

-
Descrizione dettagliata

IGBT Module 2 Independent 1200V 1050W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max)

5mA
Configurazione

2 Independent

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FF200R12KE3B2HOSA1

Descrizione: MOD IGBT MED PWR 62MM-1

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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