FF200R33KF2CNOSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

FF200R33KF2CNOSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

FF200R33KF2CNOSA1.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

3300V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

4.25V @ 15V, 200A
Contenitore dispositivo fornitore

Module
Serie

-
Potenza - Max

2200W
Contenitore / involucro

Module
Altri nomi

FF200R33KF2C
FF200R33KF2C-ND
SP000100616
temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C
Termistore NTC

No
Tipo montaggio

Chassis Mount
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

25nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

-
Descrizione dettagliata

IGBT Module 2 Independent 3300V 330A 2200W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max)

5mA
Corrente - collettore (Ic) (max)

330A
Configurazione

2 Independent

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "FF200R33KF2CNOSA1".

FF225R17ME4BOSA1

Descrizione: IGBT MODULE VCES 1200V 225A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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