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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IAUT165N08S5N029ATMA2
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4754493Immagine IAUT165N08S5N029ATMA2.International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT165N08S5N029ATMA2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IAUT165N08S5N029ATMA2
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    80V 165A 2.9MOHM TOLL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IAUT165N08S5N029ATMA2.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.8V @ 108µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-HSOF-8-1
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.9 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    167W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerSFN
  • Altri nomi
    IAUT165N08S5N029ATMA2DKR
    IAUT165N08S5N029DKR
    IAUT165N08S5N029DKR-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6370pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    165A (Tc)

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Pagamento
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SI4438DY-T1-E3

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
STB20N90K5

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Descrizione: N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,

Produttori: STMicroelectronics
In magazzino
RFQ
SI2303BDS-T1-E3

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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
PMFPB8040XP,115

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Produttori: Nexperia
In magazzino
RFQ
AOI4T60P

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Descrizione: MOSFET N-CH

Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In magazzino
RFQ
IAUT150N10S5N035ATMA1

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Descrizione: 100V 150A 3.5MOHM TOLL

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
NTD4804N-1G

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
IRFPS30N60KPBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
IAUT300N10S5N015ATMA1

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Descrizione: MOSFET_(75V,120V(

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IXFK260N17T

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Descrizione: MOSFET N-CH 170V 260A TO-264

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IAUT300N08S5N012ATMA2

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Descrizione: MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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IRFH5010TR2PBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
DMN3027LFG-7

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
SI1012R-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
IAUT240N08S5N019ATMA1

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Descrizione: MOSFET N-CH 75V 8HSOF

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IRF530SPBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
FDD6632

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
2N7002,215

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

Produttori: Nexperia
In magazzino
RFQ
IAUT260N10S5N019ATMA1

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Descrizione: MOSFET_(75V,120V(

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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