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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IAUT260N10S5N019ATMA1
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966458Immagine IAUT260N10S5N019ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT260N10S5N019ATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IAUT260N10S5N019ATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET_(75V,120V(
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    A norma RoHS
  • Specifiche
    IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.8V @ 210µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-HSOF-8-1
  • Serie
    OptiMOS™-5
  • Stato RoHS
    RoHS Compliant
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerSFN
  • Altri nomi
    IAUT260N10S5N019
    IAUT260N10S5N019ATMA1-ND
    IAUT260N10S5N019ATMA1TR
    IAUT260N10S5N019TR
    IAUT260N10S5N019TR-ND
    SP001676336
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11830pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    166nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    260A (Tc)

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Pagamento
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BUK7616-55A,118

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Descrizione: MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
FDZ191P

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FDH50N50

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 48A TO-247

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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STE30NK90Z

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

Produttori: STMicroelectronics
In magazzino
RFQ
AO4202_120

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Descrizione: MOSFET N-CH 8SOIC

Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In magazzino
RFQ
IAUT165N08S5N029ATMA2

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Descrizione: 80V 165A 2.9MOHM TOLL

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IAUT300N08S5N012ATMA2

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Descrizione: MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
FDP032N08-F102

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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TSM60NB1R4CP ROG

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
FDP26N40

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Descrizione: MOSFET N-CH 400V 26A TO-220

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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RF4E080GNTR

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Produttori: LAPIS Semiconductor
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IAUT150N10S5N035ATMA1

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Descrizione: 100V 150A 3.5MOHM TOLL

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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IPC045N10L3X1SA1

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IRLB4132PBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 78A TO220

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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IAUT240N08S5N019ATMA1

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Descrizione: MOSFET N-CH 75V 8HSOF

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
HUF75329P3

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Descrizione: MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
IPC100N04S51R9ATMA1

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Descrizione: N-CHANNEL_30/40V

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IAUT300N10S5N015ATMA1

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Descrizione: MOSFET_(75V,120V(

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
STP8NS25

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Descrizione: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220

Produttori: STMicroelectronics
In magazzino
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