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6978537Immagine IPB180N06S4H1ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N06S4H1ATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB180N06S4H1ATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPB180N06S4H1ATMA1.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO263-7-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    250W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Altri nomi
    IPB180N06S4-H1
    IPB180N06S4-H1-ND
    IPB180N06S4H1ATMA1TR
    SP000415562
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    21900pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

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