Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPB180N10S403ATMA1
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
2550254Immagine IPB180N10S403ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N10S403ATMA1

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1000+
$2.249
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB180N10S403ATMA1
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH TO263-7
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 180µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO263-7-3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    250W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Altri nomi
    SP000915592
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    10120pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Descrizione: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Descrizione: MOSFET P-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire