International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB600N25N3GATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPB600N25N3GATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPB600N25N3GATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

60 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

IPB600N25N3 G
IPB600N25N3 G-ND
IPB600N25N3 GTR
IPB600N25N3 GTR-ND
IPB600N25N3G
IPB600N25N3GATMA1TR
SP000676408
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

250V
Descrizione dettagliata

N-Channel 250V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Notizie correlate
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IPB50R140CPATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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