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4083030Immagine IPB60R040C7ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R040C7ATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB60R040C7ATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPB60R040C7ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1.24mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO263-3
  • Serie
    CoolMOS™ C7
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    40 mOhm @ 24.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    227W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Altri nomi
    IPB60R040C7ATMA1DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4340pF @ 400V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    107nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

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