International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI100N08N3GHKSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPI100N08N3GHKSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPI100N08N3GHKSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 46µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

10 mOhm @ 46A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi

IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IPI11N60C3AAKSA2

Descrizione: MOSFET N-CH I2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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