International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI111N15N3GAKSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPI111N15N3GAKSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPI111N15N3GAKSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 160µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

11.1 mOhm @ 83A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi

IPI111N15N3 G
IPI111N15N3 G-ND
SP000680232
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3230pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

150V
Descrizione dettagliata

N-Channel 150V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

83A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPI111N15N3GAKSA1".

IPI120N04S402AKSA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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