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1006442Immagine IPN50R650CEATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPN50R650CEATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPN50R650CEATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPN50R650CEATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-SOT223
  • Serie
    CoolMOS™ CE
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    650 mOhm @ 1.8A, 13V
  • Dissipazione di potenza (max)
    5W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-223-3
  • Altri nomi
    IPN50R650CEATMA1-ND
    IPN50R650CEATMA1TR
    SP001434880
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    342pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

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Descrizione: MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

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Descrizione: MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223

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Descrizione: MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223

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IPN70R360P7SATMA1

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Descrizione: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223

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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

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