International Rectifier (Infineon Technologies)

IPN60R360P7SATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPN60R360P7SATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPN60R360P7SATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 140µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-SOT223
Serie

CoolMOS™ P7
Rds On (max) a Id, Vgs

360 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

7W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-223-3
Altri nomi

IPN60R360P7SATMA1-ND
IPN60R360P7SATMA1TR
SP001681928
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 9A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IPN60R1K5CEATMA1

Descrizione: CONSUMER

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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