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3205943Immagine IPP600N25N3GXKSA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP600N25N3GXKSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPP600N25N3GXKSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPP600N25N3GXKSA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 90µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO220-3-1
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    60 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    136W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    IPP600N25N3 G
    IPP600N25N3 G-ND
    IPP600N25N3G
    SP000677832
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    250V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 250V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

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