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3901513Immagine IPP60R080P7XKSA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP60R080P7XKSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPP60R080P7XKSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPP60R080P7XKSA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 590µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO220-3
  • Serie
    CoolMOS™ P7
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    80 mOhm @ 11.8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    129W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    SP001647034
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2180pF @ 400V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 31A TO-220

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In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH TO220-3

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Descrizione: HIGH POWER_NEW

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