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2799297Immagine IPW60R041P6FKSA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW60R041P6FKSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPW60R041P6FKSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPW60R041P6FKSA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 2.96mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO247-3
  • Serie
    CoolMOS™ P6
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    41 mOhm @ 35.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    481W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    IPW60R041P6FKSA1-5
    SP001091630
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    8180pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    170nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    77.5A (Tc)

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In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 39A TO-247

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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Descrizione: AUTOMOTIVE

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3

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Descrizione: HIGH POWER_NEW

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247

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Descrizione: HIGH POWER_NEW

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