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IRF5806

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF5806
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRF5806.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Micro6™(TSOP-6)
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    86 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    594pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

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