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IRF5851TRPBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF5851TRPBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRF5851TRPBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.25V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSOP
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
  • Potenza - Max
    960mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Altri nomi
    IRF5851TRPBF-ND
    IRF5851TRPBFTR
    SP001561866
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.7A, 2.2A
  • Numero di parte base
    IRF5851PBF

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Spedizione
Pagamento
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