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489219Immagine IRF6655TR1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6655TR1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF6655TR1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRF6655TR1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.8V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DIRECTFET™ SH
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    62 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.2W (Ta), 42W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DirectFET™ Isometric SH
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    530pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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