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2478282Immagine IRF6662TR1PBF.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6662TR1PBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRF6662TR1PBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRF6662TR1PBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.9V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DIRECTFET™ MZ
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    22 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DirectFET™ Isometric MZ
  • Altri nomi
    IRF6662TR1PBFTR
    SP001559718
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1360pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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