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2977081Immagine IRFH5301TR2PBF.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH5301TR2PBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFH5301TR2PBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRFH5301TR2PBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.35V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PQFN (5x6) Single Die
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.85 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.6W (Ta), 110W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    IRFH5301TR2PBFDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5114pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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