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1280963Immagine IRFH5304TRPBF.Infineon Technologies

IRFH5304TRPBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFH5304TRPBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRFH5304TRPBF.pdf
  • Tensione - Prova
    2360pF @ 10V
  • Tensione - Ripartizione
    PQFN (5x6)
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5 mOhm @ 47A, 10V
  • Vgs (Max)
    4.5V, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    HEXFET®
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    22A (Ta), 79A (Tc)
  • Polarizzazione
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    IRFH5304TRPBF-ND
    IRFH5304TRPBFTR
    SP001564156
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    IRFH5304TRPBF
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    41nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.35V @ 50µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 30V 22A (Ta), 79A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30V
  • rapporto di capacità
    3.6W (Ta), 46W (Tc)

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