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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > IRG7CH44K10EF
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IRG7CH44K10EF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRG7CH44K10EF
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT CHIP WAFER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.3V @ 15V, 25A
  • Condizione di test
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    60ns/230ns
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    -
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    SP001537324
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    160nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 1200V 25A Surface Mount Die
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    25A
IRG7CH30K10EF

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Descrizione: IGBT CHIP WAFER

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRG7CH35UEF

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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH50K10EF

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IRG7CH35UED

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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH20K10EF

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Descrizione: IGBT 1200V DIE

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IRG7CH73UED-R

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IRG7CH73K10EF

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IRG7CH50UED

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IRG7CH50UEF

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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH42UEF

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IRG7CH73K10EF-R

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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH37K10EF

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IRG7CH42UED

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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH73UEF-R

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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH23K10EF

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Descrizione: IGBT 1200V DIE

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IRG7CH46UED

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IRG7CH28UED

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Descrizione: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH46UEF

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IRG7CH28UEF

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IRG7CH54K10EF-R

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