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IRG7CH50K10EF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRG7CH50K10EF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT CHIP WAFER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRG7CH50K10EF.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Condizione di test
    600V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    50ns/280ns
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    -
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    SP001532664
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    170nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    35A

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