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IRLL3303TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRLL3303TR
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IRLL3303TR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    31 mOhm @ 4.6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    840pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 4.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Ta)

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