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IRLM120ATF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRLM120ATF
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.IRLM120ATF.pdf
    2.IRLM120ATF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223-4
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    220 mOhm @ 1.15A, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.7W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    440pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 2.3A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3

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