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5087008Immagine HIP6601BECBZA-T.Intersil

HIP6601BECBZA-T

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HIP6601BECBZA-T
  • Costruttore / Marca
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HIP6601BECBZA-T.pdf
  • Tensione di alimentazione -
    10.8 V ~ 13.2 V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC-EP
  • Serie
    -
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    20ns, 20ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • Frequenza di ingresso
    2
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tensione logica - VIL, VIH
    -
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Non-Inverting
  • Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)
    15V
  • Tipo di porta
    N-Channel MOSFET
  • Configurazione guidata
    Half-Bridge
  • Descrizione dettagliata
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)
    -
  • Base-Emitter Tensione di saturazione (max)
    Synchronous
  • Numero di parte base
    HIP6601B

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