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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1132T100Q

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Immagine 2SB1132T100Q.

LAPIS Semiconductor

2SB1132T100Q

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Specifiche

Modello di prodotti

2SB1132T100Q
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 32V 1A SO-89
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SB1132T100Q.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

32V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

MPT3
Serie

-
Potenza - Max

2W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-243AA
Altri nomi

2SB1132T100QTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

150MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 150MHz 2W Surface Mount MPT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

1A
Numero di parte base

2SB1132

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