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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1181TLQ

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Immagine 2SB1181TLQ.

LAPIS Semiconductor

2SB1181TLQ

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Specifiche

Modello di prodotti

2SB1181TLQ
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 80V 1A SOT-428
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SB1181TLQ.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

CPT3
Serie

-
Potenza - Max

10W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

2SB1181TLQ-ND
2SB1181TLQTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

100MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 100MHz 10W Surface Mount CPT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

1A
Numero di parte base

2SB1181

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