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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1316TL

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Immagine 2SB1316TL.

LAPIS Semiconductor

2SB1316TL

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Specifiche

Modello di prodotti

2SB1316TL
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.2SB1316TL.pdf
2.2SB1316TL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A
Tipo transistor

PNP - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore

CPT3
Serie

-
Potenza - Max

10W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

2SB1316TL-ND
2SB1316TLTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

50MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 50MHz 10W Surface Mount CPT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

2A
Numero di parte base

2SB1316

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