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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1260T100R
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5837762Immagine 2SB1260T100R.LAPIS Semiconductor

2SB1260T100R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SB1260T100R
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 80V 1A SOT-89
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SB1260T100R.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    400mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MPT3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    2SB1260T100R-ND
    2SB1260T100RTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount MPT3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    180 @ 100mA, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A
  • Numero di parte base
    2SB1260

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: Sanken Electric Co., Ltd.
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Descrizione: TRANS PNP 20V 5A SOT89-3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP 80V 1A SOT-89

Produttori: LAPIS Semiconductor
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