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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1689T106

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Immagine 2SB1689T106.

LAPIS Semiconductor

2SB1689T106

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Specifiche

Modello di prodotti

2SB1689T106
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.2SB1689T106.pdf
2.2SB1689T106.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

12V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

200mV @ 25mA, 500mA
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

UMT3
Serie

-
Potenza - Max

200mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-70, SOT-323
Altri nomi

2SB1689T106-ND
2SB1689T106TR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

400MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 1.5A 400MHz 200mW Surface Mount UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

1.5A
Numero di parte base

2SB1689

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