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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD1767T100R

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Immagine 2SD1767T100R.

LAPIS Semiconductor

2SD1767T100R

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Specifiche

Modello di prodotti

2SD1767T100R
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SD1767T100R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

MPT3
Serie

-
Potenza - Max

2W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-243AA
Altri nomi

2SD1767T100R-ND
2SD1767T100RTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

120MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 700mA 120MHz 2W Surface Mount MPT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

700mA
Numero di parte base

2SD1767

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