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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD2607FU6
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3850643Immagine 2SD2607FU6.Rohm Semiconductor

2SD2607FU6

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SD2607FU6
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SD2607FU6.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    8A
  • Tensione - Ripartizione
    TO-220FN
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    100V
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Resistenza - Base (R1) (ohm)
    40MHz
  • Potenza - Max
    2W
  • Polarizzazione
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    2SD2607FU6
  • Frequenza - transizione
    1000 @ 2A, 3V
  • Descrizione espansione
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    10µA (ICBO)
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1.5V @ 6mA, 3A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    NPN - Darlington

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN DARL 150V 17A MT200

Produttori: Sanken
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