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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > BA12004BF-E2
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BA12004BF-E2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BA12004BF-E2
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.BA12004BF-E2.pdf
    2.BA12004BF-E2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Tipo transistor
    7 NPN Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    16-SOP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    620mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    BA12004BF-E2DKR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 620mW Surface Mount 16-SOP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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