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1024909Immagine BR25G128NUX-3TR.LAPIS Semiconductor

BR25G128NUX-3TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BR25G128NUX-3TR
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC EEPROM 128K SPI VSON008X2030
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BR25G128NUX-3TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    5ms
  • Tensione di alimentazione -
    1.6 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    EEPROM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VSON008X2030
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-UFDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    BR25G128NUX-3TRDKR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Kb (16K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    SPI
  • Formato di memoria
    EEPROM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    EEPROM Memory IC 128Kb (16K x 8) SPI 20MHz VSON008X2030
  • Frequenza dell'orologio
    20MHz

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