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BS2100F-E2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BS2100F-E2
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DVR IGBT/MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BS2100F-E2.pdf
  • Tensione di alimentazione -
    10 V ~ 18 V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    200ns, 100ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    BS2100F-E2TR
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Frequenza di ingresso
    2
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tensione logica - VIL, VIH
    1V, 2.6V
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Non-Inverting
  • Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap)
    600V
  • Tipo di porta
    N-Channel MOSFET
  • Configurazione guidata
    Half-Bridge
  • Descrizione dettagliata
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
  • Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore)
    60mA, 130mA
  • Base-Emitter Tensione di saturazione (max)
    Independent

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