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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTA143TCAHZGT116

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Immagine DTA143TCAHZGT116.

LAPIS Semiconductor

DTA143TCAHZGT116

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Specifiche

Modello di prodotti

DTA143TCAHZGT116
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.DTA143TCAHZGT116.pdf
2.DTA143TCAHZGT116.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potenza - Max

350mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

DTA143TCAHZGT116CT
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

250MHz
Descrizione dettagliata

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

100mA

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